Примесная терагерцовая люминесценция при межзонном фотовозбуждении полупроводников

Сообщается об обнаружении интенсивного терагерцового излучения при межзонном фотовозбуждении полупроводников ($n$-GaAs и $p$-Ge) при низких температурах. Терагерцовая фотолюминесценция обусловлена излучательными переходами, имеющими место в процессе захвата неравновесных носителей на ионизованные примесные центры, которые в свою очередь создаются в кристалле в результате электронно-дырочной рекомбинации с участием примесей. Внешний квантовый выход излучения составляет до 0.1%.