Нестандартные особенности взаимодействия одиночных люминесцентных центров, сформированных ядрами частичных дислокаций в CdTe и ZnSe, с продольными оптическими фононами

С помощью измерений низкотемпературной (5 К) микрофотолюминесценции исследованы отдельные люминесцентные центры, формируемые ядрами частичных дислокаций в пленке CdTe/Si и квантовой яме на основе ZnSe. Показано, что для данных центров характерно заметное взаимодействие с продольными оптическими (LO) фононами, квазиимпульс которых соответствует центру зоны Бриллюэна. В то же время относительные интенсивности LO- и 2LO-фононных повторений на порядок отличаются от величин, предсказываемых формулой Хуанга–Рис, которая описывает интенсивности многофононных LO-повторений для примесных люминесцентных центров. Нестандартное распределение интенсивности фононных повторений приписано изменению кривизны адиабатических потенциалов (дефект частоты), которое возникает за счет неустойчивости структуры связей в дислокационном ядре по отношению к состоянию электронной подсистемы.