Трансформация микроволновых резонансных свойств метаструктур с CdS и CdSe при одно- и двухфотонном возбуждении

Предложены, реализованы и исследованы в волноводе и мета-интерферометре в диапазоне $3$–$12$ ГГц управляемые методами фотоники метаструктуры, содержащие резонансные электропроводящие дипольные и киральные элементы с CdS и CdSe в разрывах. Впервые обнаружено в эксперименте, что при изменении мощности оптического излучения $P_\lambda$, направляемого оптоволокном в область разрыва, в ситуациях, когда энергия $h\nu$ фотона не только выше ширины запрещенной зоны $E_g$ $[h\nu(\lambda_1=0.53\,$мкм$)>E_g]$, но и ниже ее $[h\nu(\lambda_2=0.97\,$мкм$)<E_g]$, в спектре прохождения микроволнового излучения происходит трансформация резонансного отклика соответствующего элемента (плавное изменение интенсивности практически до уровня прозрачности, сопровождаемое смещением частоты в сторону низких частот), а также трансформация полосы запрета в интерферограмме мета-интерферометра с изменением ширины в несколько раз. Наряду с этим, в условиях $\lambda_2$-облучения на поверхности CdS замечено оранжево-красное свечение, идентифицируемое как проявление антистоксовой люминесценции. Прямыми измерениями резонаторным методом комплексной диэлектрической проницаемости $\varepsilon^{\text{GHz}}$ образцов CdS и CdSe обнаружены увеличение $\mathrm{Im}\,\varepsilon^{\text{GHz}}$ (с приближением к насыщению при $\lambda_2$) и увеличение Re$\varepsilon^{\text{GHz}}$ с ростом $P_\lambda$. Обнаружены закономерности одинакового проявления физических эффектов в микроволновом диапазоне частот при одно- и двухфотонном возбуждении применительно к плотностям потоков световой энергии $S_1$ (при $P_{\lambda1}$) и $S_2$ (при $P_{\lambda2}$): $S_2\gg S_1$; $S_2^2/S_1 = \text{constant}$.