Аннотация:
В работе исследуется резонансное микроволновое поглощение двумерных электронных систем (ДЭС) на базе GaAs/AlGaAs гетероструктур с задним металлическим затвором. Реализован режим, когда скорость экранированной плазменной волны в ДЭС, вычисленная в квазистатическом приближении, превосходит скорость света в подложке. Обнаружено, что в этом случае релятивистские эффекты запаздывания приводят к сильному изменению дисперсии двумерного экранированного плазмона, а также его магнитополевого поведения. Обнаружено, что эффекты запаздывания приводят к сильной ренормализации циклотронной и плазменной частоты. Установлено хорошее согласие полученных экспериментальных данных с существующей теорией.
Поступила в редакцию: 07.09.2021 Исправленный вариант: 08.10.2021 Принята в печать: 09.10.2021