Электронная структура и свойства двумерного диоксида кремния

В рамках теории функционала плотности методом проекционных присоединенных волн проведены исследования электронной структуры двумерного диоксида кремния. Результаты неэмпирических расчетов существенно уточняются в $GW$-приближении. Рассмотрены нанопленки толщиной от 0.35 до 1.76 нм с максимальным числом атомарных слоев, равным 30. Показано, что запрещенная зона существенно зависит от толщины двумерного нанокристалла и имеет три различных типа поведения. Данное явление обусловлено сдвигом уровня Ферми, определяемым соотношением атомов Si и O в элементарной ячейке.