Эта публикация цитируется в 1 статье

ОПТИКА, ЛАЗЕРНАЯ ФИЗИКА

Enhancement of the basal-plane stacking fault emission in GaN planar nanowire microcavity

E. I. Girshova^a, G. Pozina^b, A. V. Belonovskii^a, M. I. Mitrofanov^cd, I. V. Levitskii^dc, G. V. Voznyuk^a, V. P. Evtikhiev^b, S. N. Rodin^cd, M. A. Kaliteevskii<sup>a

a</sup> ITMO University, 197101 St. Petersburg, Russia
^b Department of Physics, Chemistry and Biology (IFM), Linköping University, S-581 83 Linköping, Sweden
^c Ioffe Institute, 194021 St. Petersburg, Russia
^d Submicron Heterostructures for Microelectronics, Research and Engineering Center, Russian Academy of Sciences, 194021 St. Petersburg, Russia

Поступила в редакцию: 05.04.2022
Исправленный вариант: 12.04.2022
Принята в печать: 13.04.2022

Язык публикации: английский

DOI: 10.31857/S1234567822100032

 Англоязычная версия: Journal of Experimental and Theoretical Physics Letters, 2022, 115:10, 574–580

Реферативные базы данных:

•