Наночастицы 6H-SiC, интегрированные с атомно-силовым микроскопом для сканирующих квантовых сенсоров

Мы изготовили квантовый датчик магнитного поля, используя вакансионные центры кремния в 6H-SiC на основе метода атомно-силовой микроскопии. Квантовая сенсорика происходит с помощью метода оптически детектируемого магнитного резонанса. Для реализации квантовой сканирующей микроскопии мы прикрепили одну наночастицу 6H-SiC на острие кантилевера. Изготовленные таким образом квантовые датчики охарактеризованы с помощью оптической спектроскопии и электронной микроскопии. Их использование является более экономически целесообразным и позволяет использовать квантовые сканирующие микроскопы в физиологических условиях и проводящей среде.