Проявление памяти и бабочка в фотонном эхо на ионах эрбия в LuLiF$_4$ и YLiF$_4$

При измерении зависимости интенсивности фотонного эха в образцах YLiF$_4$ и LuLiF$_4$ с примесными ионами эрбия Er$^{3+}$ от ориентации, величины и направления изменения магнитного поля обнаружен эффект памяти – гистерезис. В образце записывается и запоминается на время не менее 6 ч при температуре 2 К, предыстория его нахождения в магнитном поле определенного направления и величины. Эффект критически зависит от ориентации оптической оси образцов относительно внешнего магнитного поля.