Моделирование одноэлектронных транспортных процессов в тонких гранулированных хромовых пленках

Представлены результаты численного моделирования одноэлектронного транспорта в двумерных гранулированных хромовых пленках при низких температурах. Построена теоретическая модель, в которой гранулированная пленка представлена в виде двумерной матрицы проводящих металлических гранул (островов), слабо связанных между собой малопрозрачными туннельными барьерами, обеспечивающими транспорт одиночных электронов, локализованных на островах. Учет неоднородностей в нанометровых размерах островов и их эффективной электронной температуры, зависящей от силы протекающего тока, позволил объяснить вид недавно измеренных вольт-амперных характеристик хромовых образцов, имеющих форму прямоугольных полосок субмикронных размеров. В моделируемой системе обнаружен переход от двумерного к квазиодномерному режиму одноэлектронного транспорта, ведущего к гистерезису, наблюдаемому в эксперименте.