RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики // Архив

Письма в ЖЭТФ, 2023, том 118, выпуск 1, страницы 55–61 (Mi jetpl6985)

Эта публикация цитируется в 2 статьях

КОНДЕНСИРОВАННОЕ СОСТОЯНИЕ

Плазменные возбуждения в SiGe/Si квантовых ямах

А. Р. Хисамееваa, А. В. Щепетильниковab, Г. А. Николаевa, С. А. Лопатинаab, Я. В. Федотоваa, И. В. Кукушкинa

a Институт физики твердого тела РАН, 142432 Черноголовка, Россия
b Национальный исследовательский университет “Высшая школа экономики”, 101000 Москва, Россия

Аннотация: Было проведено подробное исследование плазменных и магнитоплазменных возбуждений в высококачественных нелегированных двумерных системах на основе SiGe/Si квантовых ям. Двумерная электронная система формировалась при приложении напряжения к верхнему затвору, частично прозрачного для субтерагерцового излучения в частотном диапазоне $20{-}160$ ГГц. Для сравнения также приведены результаты для SiGe/Si квантовых ям с $\delta$-слоем легирования Sb. Были непосредственно определены транспортные и квантовые времена рассеяния для обеих структур. Было установлено, что величина эффективной массы электронов практически не зависит от плотности двумерных электронов в широком диапазоне значений.

Поступила в редакцию: 28.04.2023
Исправленный вариант: 01.06.2023
Принята в печать: 01.06.2023

DOI: 10.31857/S1234567823130116


 Англоязычная версия: Journal of Experimental and Theoretical Physics Letters, 2023, 118:1, 67–73


© МИАН, 2024