Влияние концентрации Gd на сверхпроводящие свойства в ВТСП лентах $2$-го поколения

В данной работе представлены систематические исследования высокотемпературных сверхпроводящих лент $2$-го поколения с избытком по Gd относительно стехиометрического состава пленок GdBa$_2$Cu$_3$O$_7$. Выявлено, что при росте пленки образуются нитевидные дефекты в виде несверхпроводящей фазы Gd$_2$CuO$_4$, расположенные вдоль плоскости $ab$. Эти включения приводят к изменению механизма пиннинга вихревой структуры, благодаря чему отчетливо наблюдается пик критического тока при $+15\,\%$ Gd.