Нелинейный коэффициент Холла в пленках трехмерного топологического изолятора

Исследовано магнетосопротивление и эффект Холла в транзисторных структурах, изготовленных на пленках трехмерного топологического изолятора (Bi,Sb)$_2$(Te,Se)$_3$. Показано, что отрицательное магнетосопротивление в слабых полях описывается квантовыми поправками к проводимости с величиной, которая зависит от напряжения на затворе и увеличивается при приближении к точке зарядовой нейтральности. Коэффициент Холла $R_H$ нелинеен в слабых магнитных полях при всех напряжениях на затворе, при этом наиболее сильная нелинейность $R_H$ наблюдается при больших отрицательных затворных напряжениях. В больших полях наклон зависимости коэффициента Холла от магнитного поля меняет свой знак в зависимости от затворного напряжения.