Локальная диагностика спиновых дефектов в облученных SiC-диодах Шоттки

Впервые зарегистрированы спектры антипересечения спиновых подуровней и идентифицированы центры окраски со спином $S = 3/2$ в коммерчески доступных диодах Шоттки на основе 4H-SiC, подвергнутых облучению электронами с энергией $0.9$ МэВ или протонами с энергией $15$ МэВ. Показано влияние дозы облучения на процесс дефектообразования. Продемонстрировано, что повышение температуры, при которой проводилось облучение протонами, играет роль краткосрочного отжига, приводящего к уменьшению концентрации точечных дефектов.