RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики // Архив

Письма в ЖЭТФ, 2025, том 121, выпуск 1, страницы 37–43 (Mi jetpl7409)

ПЛАЗМА, ГИДРО- И ГАЗОДИНАМИКА

Метаморфные гетероструктуры с квантовыми точками InAs/InGaAs для генерации одиночных фотонов в спектральном С-диапазоне

С. В. Сорокин, Г. В. Климко, И. В. Седова, О. Е. Лакунцова, А. И. Галимов, Ю. М. Серов, А. И. Веретенников, Л. А. Снигирев, А. А. Торопов

Физико-технический институт им. А.Ф.Иоффе, 194021 С.-Петербург, Россия

Аннотация: В работе приведены результаты исследований по выращиванию методом молекулярно-пучковой эпитаксии гетероструктур с квантовыми точками InAs/InGaAs и метаморфными буферными слоями (МБС) In$_x$Ga$_{1-x}$As/GaAs(001), предназначенных для получения однофотонной генерации в телекоммуникационном С-диапазоне длин волн. Проанализирована возможность уменьшения толщины градиентного слоя In$_x$Ga$_{1-x}$As с целью формирования эффективных микрорезонаторных структур с толщиной резонаторной полости вплоть до двух длин волн. Приведены данные характеризации методами просвечивающей электронной микроскопии в геометрии поперечного сечения и спектроскопии фотолюминесценции структур с метаморфными буферными слоями, выращенных на поверхности распределенного брэгговского отражателя Al$_{0.9}$Ga$_{0.1}$As/GaAs.

Поступила в редакцию: 20.11.2024
Исправленный вариант: 20.11.2024
Принята в печать: 21.11.2024

DOI: 10.31857/S0370274X25010068



© МИАН, 2025