Новый высокосимметричный структурный радиационный дефект в алмазе, выявленный методом ЭПР

Методом электронного парамагнитного резонанса проведено первичное исследование структурного центра, образованного в синтетическом алмазе типа Ib после облучения электронами $3$ МэВ и отжига $1200^\circ$С/$30$ мин. Условия образования и полученные характеристики сближают его с группой парамагнитных центров R5–R12, однако в отличие от них исследованный центр более высокосимметричен: при таком же спине $S = 1$ он обладает практически изотропными (в пределах точности эксперимента и моделирования) $g$-фактором $g = 2.018(2)$, значительной величиной расщепления в нулевом поле $D = 2886(9)\,$МГц, а также симметрией ${<}111{>}$ (C$_{3v}$). Исследованный центр можно считать ярким примером тенденции к повышению локальной симметрии структурных центров в алмазе при увеличении энергии порождающего их облучения и, в особенности, температуры последующего отжига.