Оптическая спектроскопия метаморфных гетероструктур с квантовыми точками InAs/InGaAs, излучающими в диапазоне $\sim$ 1.55 мкм

В работе методами структурной и оптической характеризации исследованы гетероструктуры с квантовыми точками InAs/InGaAs, излучающими в диапазоне длин волн $\sim$ 1.55 мкм, содержащие метаморфные буферные слои In$_x$Ga$_{1-x}$As/GaAs(001) различной толщины и с различным профилем изменения состава, выращенные методом молекулярно-пучковой эпитаксии. Максимальная мольная доля In в слое переменного состава In$_x$Ga$_{1-x}$As составила $x_{\max}=0.44$ при его толщине, изменяющейся в диапазоне от 220 до 1100 нм. Установлена взаимосвязь между наблюдаемыми особенностями в спектрах фотоотражения и фотолюминесценции c параметрами метаморфных гетероструктур. Показано, что наиболее высокоэнергетическая S-образная особенность в спектрах фотоотражения связана с переходами в инверсном слое In$_x$Ga$_{1-x}$As, расположенном вблизи поверхности структуры. Наблюдаемое в спектрах низкотемпературной фотолюминесценции плечо на коротковолновой стороне широкого пика, связанного с излучением из квантовых точек InAs/InGaAs, позволяет соотнести его с переходами из верхней части метаморфных буферных слоев In$_x$Ga$_{1-x}$As.