Фотонные кристаллы с заданной шириной запрещенной зоны

Предложен новый метод создания фотонных кристаллов с тщательно контролируемой шириной фотонной запрещенной зоны. Метод основан на синтезе фотонного кристалла типа A$_{1-x}$B$_x$ с контролируемым значением параметра $x$ на основе двух изоструктурных фотонных кристаллов А и B, таких, что ширина фотонной запрещенной зоны кристалла А меньше, а кристалла B — больше требуемой. Метод продемонстрирован на примере инвертированного опала состава $(100-x)$ мол. % SiO$_2$ — $x$ мол.% ZnO, для которого относительная ширина стоп-зоны монотонно возрастала при увеличении параметра $x$.