RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики // Архив

Письма в ЖЭТФ, 2007, том 86, выпуск 6, страницы 456–461 (Mi jetpl866)

КОНДЕНСИРОВАННЫЕ СРЕДЫ

Электронное рассеяние света в осмии: влияние давления

Ю. С. Поносовa, В. В. Стружкинb, С. В. Стрельцовa, А. Ф. Гончаровb

a Институт физики металлов Уральского отд. РАН
b Geophysical Laboratory, Carnegie Institution of Washington

Аннотация: Выполнены исследования неупругого рассеяния света электронами и фононами в монокристаллах $5d$ переходного металла осмия при давлениях до 60 ГПа и температурах 10–300 К. В области давлений 20–30 ГПа при возбуждении на 2.41 эВ обнаружен аномальный рост интенсивности спектров электронного рассеяния света с появлением выраженных континуумов на $\sim580\,$см$^{-1}$ для ${\mathbf q}\|[0001]$ и $\sim350$ см$^{-1}$ для ${\mathbf q}\|[10\overline10]$. Сравнение q\d зависимостей, измеренных и рассчитанных в рамках зонной теории спектров, предполагает существенную перенормировку энергий и затухания электронных состояний вблизи энергии Ферми и ее изменения под влиянием давления и температуры.

PACS: 62.50.+p, 63.20.Kr, 71.18.+y, 72.10.Di, 78.30.Er

Поступила в редакцию: 24.07.2007


 Англоязычная версия: Journal of Experimental and Theoretical Physics Letters, 2007, 86:6, 398–403

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024