М. Н. Ханнанов, И. В. Кукушкин, С. И. Губарев, Ю. Смет, К. фон Клитцинг, В. Векшейдер, G. Gerl, “Изменение циклотронной массы двумерных дырок в GaAs(001) квантовой яме от концентрации дырок”, Письма в ЖЭТФ, 2007, том 85, выпуск 5,страницы 294

Эта публикация цитируется в 8 статьях

КОНДЕНСИРОВАННЫЕ СРЕДЫ

Изменение циклотронной массы двумерных дырок в GaAs(001) квантовой яме от концентрации дырок

М. Н. Ханнанов^a, И. В. Кукушкин^a, С. И. Губарев^a, Ю. Смет^b, К. фон Клитцинг^b, В. Векшейдер^c, G. Gerl^c

^a Институт физики твердого тела РАН
^b Max Planck Institut für Festkörperforschung, 70569 Stuttgart, Germany
^c Institut für Experimentelle und Angewandte Physik, Universität Regensburg, D-93040 Regensburg, Germany

Аннотация: Методом оптического детектирования резонансного микроволнового поглощения измерена зависимость циклотронной массы тяжелых дырок в GaAs(001) квантовых ямах от концентрации двумерных дырок. Обнаружено значительное (почти двукратное) увеличение циклотронной массы тяжелых дырок с ростом концентрации носителей заряда в интервале от $1.2\cdot10^{10}$ см$^{-2}$ до $1.3\cdot10^{11}$ см$^{-2}$.

PACS: 71.35.Cc, 78.66.Fd

Поступила в редакцию: 25.01.2007
Исправленный вариант: 02.02.2007