RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Журнал Сибирского федерального университета. Серия «Математика и физика» // Архив

Журн. СФУ. Сер. Матем. и физ., 2014, том 7, выпуск 1, страницы 35–45 (Mi jsfu343)

Nanodiamond collective electron states and their localization

[Наноалмазные коллективные электронные состояния и их локализация]

Ivan A. Denisova, Andrey A. Zimina, Leslie A. Bursillb, Peter I. Belobrovac

a MOLPIT, Institute of Fundamental Biology and Biotechnology, Siberian Federal University, Svobodny, 79, Krasnoyarsk, 660041 Russia
b School of Physics, The University of Melbourne, PO BOX 339, Carlton North VIC 3054, Australia
c Kirensky Institute of Physics & Institute of Biophysics SB RAS, Akademgorodok, 50/50, Krasnoyarsk, 660036 Russia

Аннотация: Коллективные электронные состояния, несмотря на их важность, редко используются для описания электронной структуры диэлектриков. Природа не связанных с примесями неспаренных спинов, наблюдаемых экспериментально в наноалмазе, всё ещё обсуждается. Мы предлагаем описание их природы в терминах коллективных электронных состояний. Коллективные состояния исследованы точным решением одночастичного одномерного уравнения Шрёдингера в потенциале Кронига–Пенни и первопринципными расчетами волновых функций основных состояний для алмазоидов $C_{78}H_{64}$, $C_{123}H_{100}$ и $C_{211}H_{140}$ методом DFT R-B3LYP/6-31G(d,p). Найдены три различных класса: коллективные связывающие орбитали, соответствующие модулированным решениям для частицы в потенциальной яме; поверхностные несвязывающие проводящие состояния Тамма и подповерхностные связывающие состояния для неоднородно сжатого наноалмаза. Существование неспаренных спинов предположительно объясняется флуктуациями спиновой плотности, значительными для наноразмерных коллективных и протяженных подповерхностных состояний.

Ключевые слова: наноалмаз, наномасштаб, коллективные электронные состояния, состояния Тамма, подповерхностные электронные состояния, парамагнетизм наноалмаза, флуктуация спиновой плотности.

УДК: 544.18+538.955:549.211-022.532

Получена: 15.11.2013
Исправленный вариант: 22.11.2013
Принята: 22.11.2013

Язык публикации: английский



© МИАН, 2024