Аннотация:
Основными актуальными задачами в разработке первичных преобразователей на основе магниторезистивных структур являются повышение чувствительности и термостабильности. Чувствительность определяется как отношение величины выходного сигнала (напряжение разбаланса мостовой схемы под действием магнитного поля) к величине магнитного поля на линейном участке передаточной характеристики. Были изготовлены магниторезистивные структуры с широким диапазоном чувствительности от 3.0 (мВ/В)/(кА/м) до 9,4 (мВ/В)/(кА/м) при значении поля смещения 1 кА/м. Установлено, что основное влияние на чувствительность сенсора оказывает ширина полос пермаллоя. Расстояние между полосами имеет существенно меньший эффект.