RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Журнал Сибирского федерального университета. Серия «Математика и физика» // Архив

Журн. СФУ. Сер. Матем. и физ., 2017, том 10, выпуск 2, страницы 181–185 (Mi jsfu538)

Эта публикация цитируется в 3 статьях

Technological features influence on magnetic sensitivity of sensor based on ferromagnetic structures

[Влияние технологических особенностей на чувствительность сенсоров на основе ферромагнитных структур]

Nikolay A. Djuzhev, Aleksey S. Iurov, Nikita S. Mazurkin, Maksim Y. Chinenkov

National Research University of Electronic Technology (MIET), Shokina, 1, Moscow, Zelenograd, 124498, Russia

Аннотация: Основными актуальными задачами в разработке первичных преобразователей на основе магниторезистивных структур являются повышение чувствительности и термостабильности. Чувствительность определяется как отношение величины выходного сигнала (напряжение разбаланса мостовой схемы под действием магнитного поля) к величине магнитного поля на линейном участке передаточной характеристики. Были изготовлены магниторезистивные структуры с широким диапазоном чувствительности от 3.0 (мВ/В)/(кА/м) до 9,4 (мВ/В)/(кА/м) при значении поля смещения 1 кА/м. Установлено, что основное влияние на чувствительность сенсора оказывает ширина полос пермаллоя. Расстояние между полосами имеет существенно меньший эффект.

Ключевые слова: магниторезистивный сенсор, MEMС, магнеторезистивность, магнеторезистор.

УДК: 53.082.743

Получена: 20.08.2016
Исправленный вариант: 10.10.2016
Принята: 04.02.2017

Язык публикации: английский

DOI: 10.17516/1997-1397-2017-10-2-181-185



Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024