Фоточувствительность поверхностно-барьерных и точечных структур на монокристаллах Cd$_{1-x}$Mn$_x$Te

Предложены и впервые получены два новых типа фоточувствительных структур на монокристаллах твердых растворов алмазоподобных магнитных полупроводников Cd$_{1-x}$Mn$_x$Te ($x$ = 0–0.7). Выполнены исследования фотоэлектрических свойств поверхностно-барьерных In/Cd$_{1-x}$Mn$_x$Te и сварных структур св/Cd$_{1-x}$Mn$_x$Te при $T$ = 300 K. Проведен сопоставительный анализ закономерностей спектров фоточувствительности полученных структур, что позволило определить характер межзонных оптических переходов и значения ширины запрещенной зоны в кристаллах Cd$_{1-x}$Mn$_x$Te. Сделан вывод о возможности применения полученных структур в разработках приборов магнитной фотоэлектроники.