Аннотация:
Моделирование профилей распределения по глубине атомов кобальта, хрома и меди с энергией 40 keV при имплантации дозами от 10$^{16}$ до 10$^{17}$ ion/cm$^2$ в матрицу диоксида титана проведено с использованием программы DYNA, алгоритм которой основан на эффектах парных столкновений внедряемых ионов с атомами подложки, приводящих к динамическому изменению элементного состава приповерхностного слоя облучаемого материала, а также с учетом поверхностного распыления. Полученные результаты сопоставлены со стандартным статистическим распределением, рассчитанным по TRIM-алгоритму.