RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Журнал технической физики // Архив

ЖТФ, 2008, том 78, выпуск 8, страницы 112–115 (Mi jtf10199)

Эта публикация цитируется в 2 статьях

Поверхность, электронная и ионная эмиссия

Профили распределения атомов переходных металлов, имплантированных в матрицу диоксида титана при средних энергиях

А. Л. Степановab, В. Ф. Валеевb, В. И. Нуждинb, Р. И. Хайбуллинb, Ю. Н. Осинb, И. А. Файзрахмановb

a Лазерный центр Ганновера, 30419 Ганновер, Германия
b Казанский физико-технический институт им. Е. К. Завойского, КазНЦ РАН

Аннотация: Моделирование профилей распределения по глубине атомов кобальта, хрома и меди с энергией 40 keV при имплантации дозами от 10$^{16}$ до 10$^{17}$ ion/cm$^2$ в матрицу диоксида титана проведено с использованием программы DYNA, алгоритм которой основан на эффектах парных столкновений внедряемых ионов с атомами подложки, приводящих к динамическому изменению элементного состава приповерхностного слоя облучаемого материала, а также с учетом поверхностного распыления. Полученные результаты сопоставлены со стандартным статистическим распределением, рассчитанным по TRIM-алгоритму.

Поступила в редакцию: 22.10.2007


 Англоязычная версия: Technical Physics, 2008, 53:8, 1070–1073

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2026