Вольт-амперная характеристика полупроводника с узкой зоной проводимости с учетом ионизации примесей

Исследована вольт-амперная характеристика материала с узкой зоной проводимости в сильном электрическом поле с учетом ионизации глубоких примесей в модели, когда столкновения носителей заряда описываются в приближении Фоккера–Планка. Полученные результаты сопоставлены с аналогичными для $\nu$-приближения. Показано, что результаты, полученные ранее в $\nu$-приближении с точностью $\approx$5%, совпадают с результатами, полученными в данной работе. Отмечено, что модель Фоккера–Планка дает дополнительно температурную зависимость вольт-амперной характеристики.