Формирование наноразмерных островков CrSi$_2$ на Si(111)7 $\times$ 7 и покрывающих эпитаксиальных слоев кремния в гетероструктурах Si(111)/нанокристаллиты CrSi$_2$/Si

Методами дифракции медленных электронов и дифференциальной отражательной спектроскопии исследован процесс самоформирования наноразмерных островков дисилицида хрома (CrSi$_2$) на Si(111). Показано, что полупроводниковая природа островков проявляется с начальных стадий осаждения хрома при температуре подложки 500$^\circ$C, а переход с двумерного механизма роста на трехмерный наблюдается при толщине слоя хрома более 0.06 nm. Определены максимальная плотность островков и их размеры. Исследована молекулярно-лучевая эпитаксия кремния поверх наноразмерных островков CrSi$_2$, определена оптимальная температура роста и получены атомарно-гладкие пленки кремния при толщине 50 nm. Методом ультрафиолетовой фотоэлектронной спектроскопии с ионным травлением на образцах со встроенными нанокристаллитами (НК) доказано формирование валентной полосы и, следовательно, кристаллической структуры CrSi$_2$. Выращены эпитаксиальные мультислойные структуры со встроенными НК CrSi$_2$.