Процессы, приводящие к эффекту памяти в структуре сегнетоэлектрическая пленка–монокристалл кремния

На примере структуры Аl$-$пленка Ba$_{0.85}$Sr$_{0.15}$TiO$_{3}{-}$монокристалл Si показано, что, остаточная поляризация сегнетоэлектрической пленки не вызывает эффекта поля в полупроводнике. Эффект памяти в данной структуре объясняется накоплением на ловушках пленки (Ва, Sr)TiO$_{3}$ заряда, поле которого подобно полю заряженной плоскости у границы раздела пленка–подложка л направлено противоположно полю остаточной поляризации.