Высокочастотные структуры для возбуждения электрооптического преобразователя параметров пучка пикосекундного линейного ускорителя электронов

Представлены результаты электродинамического расчета высокочастотных структур для двух вариантов размещения электрооптического кристалла: в полости конусной линии включен в разрыв электронопровода и непосредственно в электронопроводе. В рамках разработанной методики расчета показано, что при прочих равных условиях обе структуры обладают практически одинаковой чувствительностью. В то же время в структуре с непосредственным расположением кристалла в электронопроводе верхняя граничная частота полосы пропускания структуры может быть значительно выше, чем в структуре с конусной линией.