Краткие сообщения

Зависимость высоты барьера Шоттки структур с полупроводниками на основе GaP от электроотрицательности металла

Т. А. Лаперашвили, Г. А. Накашидзе

Институт кибернетики АН ГССР, Тбилиси

УДК: 537.311.33

Поступила в редакцию: 11.12.1983

Реферативные базы данных:

•