Радиационное окрашивание монокристаллов нестехиометрических фаз
M$_{1-x}$R$_{x}$F$_{2+x}$ с дефектной структурой типа флюорита
П. К. Хабибуллаев,
Т. С. Бессонова,
Б. П. Соболев,
Я. Рустамов,
Г. А. Тавшунский Институт ядерной физики АН УзССР, п. Улугбек, Ташкент
Аннотация:
Исследованы закономерности радиационного окрашивания
монокристаллов нестехиометрических фаз M
$_{1-x}$R
$_{x}$F
$_{2+x}$
(М — Са, Sr, Ва; R — Y и лантаноиды;
${x=0.1\div0.3}$ — мольная
доля RF
$_{3}$) с дефектной структурой типа флюорита под действием
$\gamma$-облучения. Результаты сравниваются с аналогичными данными по
монокристаллам MF
$_{2}{-}$RF
$_{3}$, где концентрация RF
$_{3}$ не превышает
1 мол.%. Установлено, что закономерности радиационного окрашивания
систем M
$_{1-x}$R
$_{x}$F
$_{2+x}$ и MF
$_{2}{-}$RF
$_{3}$ заметно отличаются. Так,
в монокристаллах Ca
$_{1-x}$R
$_{x}$F
$_{2+x}$ и Sr
$_{1-x}$R
$_{x}$F
$_{2+x}$
происходит образование центров типа
$F$ при 300 K и отсутствуют процессы
образования таких центров после облучения при 77 K, в то время как для
слаболегированных монокристаллов простые центры типа
$F$ образуются при низких
температурах. При 77 K в монокристаллах Ca
$_{1-x}$R
$_{x}$F
$_{2+x}$
и Sr
$_{1-x}$R
$_{x}$F
$_{2+x}$ образуются сложные электронные центры окраски,
интенсивность проявления которых зависит от конкурентоспособности в процессах
захвата электронов конкретного R
$^{3+}$. Для радиационного окрашивания
монокристаллов Ba
$_{1-x}$R
$_{x}$F
$_{2+x}$ характерно образование ряда
универсальных сложных электронных центров окраски как при 300, так и при
77 K. Показано, что отличающийся от слаболегированных образцов
MF
$_{2}{-}$RF
$_{3}$ характер радиационного окрашивания
M
$_{1-x}$R
$_{x}$F
$_{2+x}$ обусловлен структурными
особенностями последних.
УДК:
539Л.04
Поступила в редакцию: 19.12.1983
Исправленный вариант: 06.09.1984