Краткие сообщения

Фотоупругие свойства Bi$_{12}$SiO$_{20}$

Е. И. Леонов, Г. А. Бабонас, А. А. Реза, В. И. Шандарис

Институт физики полупроводников АН ЛитССР, Вильнюс

УДК: 535.552

Поступила в редакцию: 24.07.1984

Реферативные базы данных:

•