RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Журнал технической физики // Архив

ЖТФ, 1985, том 55, выпуск 7, страницы 1370–1376 (Mi jtf1346)

Волоконно-оптический датчик электрического поля на основе Bi$_{12}$SiO$_{20}$

В. В. Куцаенко, В. Т. Потапов, Р. В. Шпилевский

Институт радиотехники и электроники АН СССР, Москва

Аннотация: Рассмотрены вопросы построения волоконно-оптического датчика, в котором излучение модулируется в чувствительном элементе электрическим полем, а волоконный световод служит для передачи светового излучения. Проведен расчет электрооптического эффекта в чувствительном элементе на основе кристалла со структурой силленита. Приведены результаты экспериментального исследования такого элемента и датчика в целом. Показано хорошее согласие экспериментальных результатов с расчетом. Минимальный регистрируемый сигнал составил 1 кВ/м.

УДК: 567.228

Поступила в редакцию: 18.07.1984



Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024