Влияние локальных скоплений примесей на форму спектральной линии полупроводниковых детекторов

Как известно, в основе механизма действия полупроводниковых детекторов лежит жесткая связь энергии регистрируемых частиц с величиной возникающего в треке неравновесного заряда пар электрон-дырка. Поэтому в структурах детекторов наглядно выявляется статистика переноса пакетов неравновесных зарядов (калиброванных по исходной величине). Рассмотрено проявление в переносе локальных скоплений примесей, характерных для современных чистых материалов. Для случая генерации пакетов заряда $\gamma$-квантами рассчитана и подтверждена экспериментально форма спектральной линии. Показано, что при типичных концентрациях скоплений статистика захвата ими дрейфующих носителей обусловливает наличие характерного линейного участка. Таким образом, возможно идентифицировать наличие в материале примесных скоплений и радиационных нарушений типа разупорядоченных областей.