В. М. Андреев, А. Т. Гореленок, В. Г. Груздов, В. Г. Данильченко, Н. Д. Ильинская, В. И. Корольков, Н. М. Сараджишвили, Л. М. Федоров, Н. М. Шмидт, М. С. Богданович, Н. З. Жингарев, Л. Б. Карлина, В. В. Мамутин, И. А. Мокина, “Исследование $pin$-фотодиодов на основе InGaAsP/InP”, ЖТФ, 1985, том 55, выпуск 8,страницы 1566

Исследование $pin$-фотодиодов на основе InGaAsP/InP

В. М. Андреев, А. Т. Гореленок, В. Г. Груздов, В. Г. Данильченко, Н. Д. Ильинская, В. И. Корольков, Н. М. Сараджишвили, Л. М. Федоров, Н. М. Шмидт, М. С. Богданович, Н. З. Жингарев, Л. Б. Карлина, В. В. Мамутин, И. А. Мокина

Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе АН СССР, Ленинград

Аннотация: Получены $pin$-фотодиоды на основе гетероструктур InGaAsP/InP, предназначенные для работы в спектральном диапазоне 1.0$-$1.6 мкм, с высокой квантовой эффективностью, низкими обратными темновыми токами в рабочем диапазоне обратных смещений и хорошим быстродействием. Показано влияние на характеристики $pin$-фотодиодов условий выращивания, свойств активного слоя и широкозонного окна гетероструктуры.

УДК: 535.376.2

Поступила в редакцию: 25.09.1984