Анализ режима фотодетектирования в инжекционных лазерных усилителях

Проведено теоретическое исследование влияния внешнего излучения на изменение напряжения на лазерном диоде в режиме усиления. Отмечена корреляция между расчетными и экспериментальными данными в зависимостях электрического сигнала от тока через диод. В пренебрежении регенерацией рассчитаны спектры фоточувствительности лазерного усилителя. Показано, что для AlGaAs усилителей ширина этих спектров составляет ${\sim10}$ мэВ. Рассмотрено влияние резонатора на спектр фоточувствительности инжекционного усилителя и показана возможность осуществления сверхселективного фотоприема,