Многоволновые лазерные излучатели на основе твердых растворов Al$_{x}$Ga$_{1-x}$As

Приведены характеристики многоволновых излучающих гетероструктур, изготовленных методом селективной безмасочной электрожидкостной эпитаксии. Обсуждаются возможности управления градиентом длины волны излучения таких структур непосредственно во время их выращивания.