Структурно-примесное упорядочение под действием малых доз проникающей радиации

Выполнены электрофизические, фотоэлектрические, электрооптические и металлографические исследования эффекта радиационного упорядочения в многослойных гомоэпитаксиальных структурах $n^{+{-}n{-}n^{++}$-GaAs}, находящихся в контакте с металлом (Au, Sn, Сr, Pt). Установлено, что этот эффект, проявляющийся в возрастании подвижностей носителей заряда и их времени жизни вследствие ослабления безызлучательной рекомбинации, наиболее отчетливо выражен в тонких приповерхностных $n^{+}$-слоях и имеет место лишь в несовершенных структурах с большой плотностью трехмерных дефектов («куполов»). Экспериментальные особенности эффекта радиационного упорядочения указывают на структурно-примесные превращения в приповерхностной области $n^{+$-GaAs} под воздействием проникающей радиации. Предполагается, что природа этих превращений состоит во взаимодействии примесей и первичных дефектов, приводящем к образованию нейтральных комплексов. Усиление эффекта поверхностью объясняется планарным геттерированием дефектов, при котором происходит перемещение их вдоль поверхности.