Краткие сообщения

Особенности фотопреобразователей на основе трехслойных полупроводниковых гетероструктур

С. Ю. Павелец, Т. М. Сванидзе, В. П. Тарасенко

Институт полупроводников АН УССР, Киев

УДК: 535.376.2

Поступила в редакцию: 05.06.1985

Реферативные базы данных:

•