Скорость роста очагов микроразрушений в щелочно-галоидных кристаллах под действием импульсов CO$_{2}$ лазера

Воздействие импульсов СO$_{2}$ лазера с плотностью мощности излучения, превышающей некоторое критическое значение, сопровождается образованием в объеме щелочно-галоидных кристаллов микроповреждений. Увеличение плотности мощности ведет к росту их размеров и концентрации в пределах каустики фокусирующей линзы. Впервые проведены измерения скорости образования таких микроразрушений путем фотографирования их при подсветке импульсами света, синхронизованными с импульсами СO$_{2}$ лазера.