К вопросу о поверхностной электрической прочности сегнетоэлектриков

Рассмотрена количественная модель поверхностного пробоя сегнетоэлектриков, учитывающая влияние свободных носителей заряда, выделяющихся в поверхностных слоях при переориентации доменов, на коэффициент ионизационного усиления. Методом сравнения расчетной величины коэффициента ионизационного усиления с его эмпирическим значением получено выражение для напряженности поля поверхностного пробоя сегнетоэлектрика в переполяризующем поле. Анализирована зависимость пробивного поля от градиента концентрации свободных зарядов на границе сегнетоэлектрик–воздух. Расчетные зависимости поверхностной электрической прочности от скорости нарастания поля находятся в удовлетворительном согласии с экспериментальными результатами.