Исследование процесса кристаллизации карбида кремния из жидкой фазы при пропускании электрического тока

Проведено исследование процесса кристаллизации SiС при электрожидкостной эпитаксии из раствора–расплава иттербия и галлия в диапазоне температур 1373$-$1673 K. Определены экспериментальные зависимости скорости кристаллизации эпитаксиальных слоев SiС от плотности тока, толщины подложек и типа растворителя. Из анализа экспериментальных результатов определено, что основной вклад в процесс кристаллизации SiС вносит эффект Пельтье. Исследованы морфология и структура эпитаксиальных слоев SiC в зависимости от условий выращивания. Лучшие по качеству поверхности эпитаксиальные слои SiC были получены на подложках с толщиной ${\leqslant300}$ мкм со скоростью роста ${\sim5}$ мкм/ч и при плотностях тока 1$-$10 А/см$^{2}$.