Структурные изменения в кристаллическом кварце при ионной имплантации

Теоретически рассматриваются процессы фазовых превращений в SiO$_{2}$ при ионной имплантации. Рассчитаны числа точечных дефектов и дозы аморфизации кварца для ионов В$^{+}$, O$^{+}$, Si$^{+}$, Аr$^{+}$. Показано, что доза, при которой равномерно аморфизуется кристаллический кварц с увеличением энергии Е, возрастает. Скорость роста с увеличением массы иона уменьшается.