Электролюминесцентные исследования солнечных $p$AlGaAs${-}p$GaAs${-}n$GaAs гетерофотоэлементов с распределенными параметрами

На примере $p$AlGaAs${-}p$GaAs${-}n$GaAs гетерофотоэлементов (ГФЭ) для преобразования неконцентрированного солнечного излучения проиллюстрированы возможности электролюминесцентной (ЭЛ) методики исследования дефектов и внутренних омических потерь. Предложена лабораторная методика контроля ГФЭ, включающая в себя измерение фототока $I_{\text{ф}}$ под маломощным имитатором солнечного излучения (для определения абсолютной фоточувствительности $p{-}n$ перехода) и наблюдение пространственного распределения интенсивности ЭЛ при предполагаемом рабочем значении тока с одновременным контролем прямого напряжения на образце.