К вопросу о кинетике роста в равновесной электрожидкостной эпитаксии

Рассмотрено распределение температуры в кристаллизационной системе с учетом влияния границ раздела источника и подложки с электродами и с учетом типа проводимости материала источника и подложки. Показано, что температурное распределение в этом случае имеет некоторые особенности, которые приводят к изменению в значении стационарной скорости роста пленки.