Влияние условий выращивания на параметры многоволновых ДГС лазеров

Метод селективной безмасочной электрожидкостной эпитаксии (СБЭЖЭ) может быть использован при получении гетероструктур для многоволновых лазеров в системе арсенид галлия–арсенид алюминия. Локальное пропускание постоянного электрического тока через подложку сопровождается изменением толщины и состава активной области в плоскости, параллельной поверхности подложки. Изменение состава активного слоя в методе СБЭЖЭ достигается в основном вблизи границы локального электрического контакта. Токовое подтравливание активного слоя может приводить как к срыву генерации, так и к снижению пороговой плотности тока в ДГС лазерах.