Аннотация:
Приведены результаты исследования численными методами
переходной и стационарной проводимости МНОП структур с учетом двухполярной
инжекции. Показано, что деградационные явления в МНОП элементах памяти
определяются кинетикой увеличения пространственно-коррелированного,
термодинамически неравновесного заполнения электронных и дырочных ловушек
в объеме нитрида кремния. Отмечается пороговый характер зависимости
деградационных изменений от величины электрического поля и температуры.