Краткие сообщения

Лазерное излучение при комнатной температуре диода с гетероструктурой InGaP$-$InGaAs$-$InGaP, полученной жидкофазной эпитаксией

М. Н. Заргарьянц, А. Б. Курносов, Ю. С. Мезин, Н. К. Сарычева

Реферативные базы данных:

•