Структура фронта волны поглощения интенсивного оптического излучения в полупроводнике

Численным решением нестационарного уравнения теплопроводности и уравнений Максвелла определены пространственная структура фронта волны поглощения оптического излучения в прозрачном полупроводнике и распределение электромагнитного поля падающего излучения при ${q <10^{10}\,\text{Вт/см}^{2}}$. Найдены зависимости коэффициента отражения излучения от фронта волны поглощения и скорости движения фронта от падающей интенсивности.