RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Журнал технической физики // Архив

ЖТФ, 1986, том 56, выпуск 6, страницы 1198–1201 (Mi jtf244)

Краткие сообщения

Определение толщины и состава эпитаксиальных слоев в ходе образования структур GaAs$-$Ga$_{1-x}$Al$_{x}$As

Д. И. Биленко, О. Я. Белобровая, А. С. Игнатьев, В. Г. Мокеров, C. Е. Пылаев, И. В. Рябинин, В. Д. Ципоруха

Саратовский государственный университет имени Н. Г. Чернышевского, Научно-исследовательский институт механики и физики

УДК: 637.311.S3

Поступила в редакцию: 19.03.1985
Исправленный вариант: 16.07.1985



Реферативные базы данных:


© МИАН, 2024