Модель зарядовой зависимости реакций формирования скоплений радиационных дефектов в полупроводниках

Рассмотрены процессы формирования скоплений радиационных дефектов из первичных скоплений вакансий и межузельных атомов, создаваемых при облучении полупроводника нейтронами и протонами, в зависимости от концентрации равновесных и неравновесных носителей заряда. В целях корректного учета влияния зарядового состояния дефектов на формирование скоплений независимой проверке подвергнуты: расчеты зарядового состояния дефектов в скоплении. Уравнения диффузии-реакций, описывающие диффузию подвижных вакансий и межузлий из первичного скопления и их реакций между собой и атомами примесей в полупроводнике, решаются численно с учетом изменений коэффициентов диффузии и скоростей реакций вследствие изменений зарядового состояния дефектов в скоплении по мере его формирования. Расчеты показывают, что рекомбинационные свойства сформировавшихся скоплений в согласии с экспериментом изменяются в десятки раз с изменением зарядового состояния формирующихся дефектов в зависимости от концентрации равновесных носителей заряда при облучении кремния нейтронами и от концентрации неравновесных носителей заряда, генерируемых при облучении кремния протонами.