Динамика нормальной зоны в сверхпроводниках при импульсных возмущениях

Проведено теоретическое исследование динамики нормальной зоны в сверхпроводниках при наличии точечного импульсного источника тепла. Определена минимальная энергия $E_{c}$, необходимая для развития нормальной зоны. Найдена аппроксимационная формула для $E_{c}$, зависящая только от одного универсального параметра, учитывающая свойства образца и условия его охлаждения. Рассмотрены переходные процессы в короткозамкнутой сверхпроводящей катушке.